DE Phrasen mit electron cyclotron resonance EN Übersetzungen
Physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen (electron beam physical vapour deposition) electron beam physical vapour deposition
Physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen (electron beam physical vapour deposition) electro-chemical machining
Physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen (electron beam physical vapour deposition) ETSI European Telecommunications Standards Institute FFT
Anmerkung: Unternummer 3A001e3 erfasst nicht "supraleitende" Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert für medizinisches Gerät für Magnetresonanzbilderzeugung (Magnetic Resonance Imaging). Note: 3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Anmerkung: Unternummer 3A201b erfasst nicht Magnete, die besonders konstruiert sind für medizinische NMR-Bildsysteme (nuclear magnetic resonance imaging systems) und als Teile davon exportiert werden. Note: 3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit (high electron mobility transistors) high electron mobility transistors
Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit (high electron mobility transistors) International Civil Aviation Organisation
Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit (high electron mobility transistors) molecular laser isotopic separation MLS
Ningbo Super Trend Electron Co. Ltd, Ningbo, Ningbo Super Trend Electron Co. Ltd, Ningbo
Electron beam physical vapour deposition (Physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen) electron beam physical vapour deposition
High electron mobility transistors (Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit) International Civil Aviation Organisation
Anmerkung:Unternummer 3A001e3 erfasst nicht "supraleitende" Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert für medizinisches Gerät für Magnetresonanzbilderzeugung (Magnetic Resonance Imaging). Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Anmerkung:Unternummer 3A201b erfasst nicht Magnete, die besonders konstruiert sind für medizinische NMR-Bildsysteme (nuclear magnetic resonance imaging systems) und als Teile davon exportiert werden. Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported "as parts of" medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Anmerkung:Unternummer 3A201b erfasst nicht Magnete, die besonders konstruiert sind für medizinische NMR-Bildsysteme (nuclear magnetic resonance imaging systems) und als Teile davon exportiert werden. Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported ’as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Anmerkung:Unternummer 3A001e3 erfasst nicht „supraleitende“ Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert für medizinisches Gerät für Magnetresonanzbilderzeugung (Magnetic Resonance Imaging). Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Anmerkung:Nummer 3E003b erfasst nicht „Technologie“ für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Fotokathoden aus einem „III/V-Verbindungshalbleiter“ (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron fotocathodes); "III-V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;
HEMTs (High Electron Mobility Transistors) High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Fotokathoden aus einem "III/V Verbindungshalbleiter" (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron fotocathodes); "III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;
Position 3.A.4 erfasst nicht Magnete, die besonders konstruiert sind für medizinische NMR-Bildsysteme (nuclear magnetic resonance imaging systems) und als Teile davon ausgeführt werden. Item 3.A.4. does not control magnets specially designed for and exported as part of medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Unternummer 3A001e3 erfasst nicht “supraleitende” Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert für medizinisches Gerät für Magnetresonanzbilderzeugung (Magnetic Resonance Imaging). e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Thyristoren und ‘Thyristormodule’ für den Impulsbetrieb, die elektrisch, optisch oder durch Elektronenstrahl (electron radiation) geschaltet werden, und mit einer der folgenden Eigenschaften: g. Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Unternummer 3A201b erfasst nicht Magnete, die besonders konstruiert sind für medizinische NMR-Bildsysteme (nuclear magnetic resonance imaging systems) und als Teile davon exportiert werden. b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Elektronenstoß-Massenspektrometer (electron bombardment mass spectrometers) der Unternummer 3A233d sind auch als Elektronenstoßionisations-Massenspektrometer bekannt. Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
Fotokathoden aus einem “III/V Verbindungshalbleiter” (z. B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron photocathodes) mit einer maximalen “Strahlungsempfindlichkeit” (radiant sensitivity) größer 15 mA/W; "III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum "radiant sensitivity" exceeding 15 mA/W;
Fotokathoden aus einem “III/V Verbindungshalbleiter” (z. B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron fotocathodes); "III/V compound" semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes;
- Ningbo Super Trend Electron Co. Ltd, Ningbo, - Ningbo Super Trend Electron Co. Ltd, Ningbo
- Samsung Electron Devices (M) SDN.BHD: 0,7 %, - Samsung Electron Devices (M) SDN.BHD: 0,7 %,
- Ningbo Super Trend Electron Co. Ltd, Ningbo - Ningbo Super Trend Electron Co. Ltd, Ningbo
(Sache COMP/M.4242 — Thermo Electron Corporation/Fisher Scientific International) (Case COMP/M.4242 — Thermo Electron Corporation/Fisher Scientific International)
Dies ist mit der SEM-EDX-Methode (Scanning Electron Microscopy – Energy Dispersive X-ray Analyser) möglich. This is the SEM-EDX (Scanning Electron Microscopy – Energy Dispersive X-ray Analyser) method.
Betrifft: Unlautere Geschäftspraxis von Ryanair und Probleme mit der Visa-Electron-Karte Subject: Unfair commercial practices by Ryanair and problems with Visa Electron cards
Bis vor einiger Zeit berechnete Ryanair Online-Käufern, die die Visa-Electron-Karte zur Zahlung von Tickets verwendeten, keine Verwaltungsgebühren. Until recently, Ryanair did not make any administration charge to on‑line purchasers using the Visa Electron card to pay for tickets.
unbeschadet der Anwendung anderer, genauerer Methoden, insbesondere der SEM-EDX-Methode (Scanning Electron Microscopy – Energy Dispersive X-ray Analyser). , although this shall not preclude the use of other more rigorous methods, in particular the SEM-EDX (Scanning Electron Microscopy – Energy Dispersive X-ray Analyser) method.